セミナー情報

高性能な半導体デバイスを作製するために、デバイス作製に用いるそれぞれの材料の電気特性および物性を理解し、制御する必要がある。本講座は2部構成とし、前半は半導体デバイスの基礎的な電気特性である容量-電圧(C-V)特性や電流-電圧(I-V)特性の評価に水銀プローブを適用した事例を紹介し、各種物理分析と組み合わせて半導体デバイスの電気特性に影響を及ぼす膜質との関係を示す。後半では半導体デバイスの特性に影響を及ぼす欠陥を電気的に検出する手法であるDeep Level Transient Spectroscopy (DLTS)について、半導体や絶縁膜/半導体界面の欠陥を評価した事例を踏まえてその有用性を紹介する。

カリキュラム：
1.水銀プローブによるC-V, I-V特性評価
(1)原理
(2)事例紹介
①半導体のキャリア濃度評価 ―SiCを例に―
②異なる方法で形成したSiO2膜の電気特性と膜質の評価
③ウェットエッチングを用いた深さ方向C-V測定による電荷分布解析
④SiN膜の電気特性と界面のXPSを用いた化学状態評価
⑤SiOC膜の電気特性と物理分析による多角的評価

2.DLTSによる半導体および絶縁膜/半導体界面の欠陥評価
(1)原理
(2)事例紹介
①SiC中の欠陥準位解析
②GaN-HEMTの欠陥評価 ―TEM、CL評価との比較―
③GaN上に形成したMOSキャパシタの界面および絶縁膜中欠陥評価
④Si上SiN膜の界面および絶縁膜中欠陥評価
⑤光照射DLTSによるn型GaN中の少数キャリア(正孔)トラップ準位評価